日期：2025-06-15 18:29:55
出品：新浪财经上市公司研究院高升网
作者：光心
近期，DDR4在华强北市场现货难求，其价格迎来“火箭式”上涨。
据悉，三星、海力士、美光三大国际DRAM巨头均计划削减DDR4产量，研究机构TrendForce预计各供应商DDR4的最后出货时间大概会在2026年初。
供给收缩的预期之下，DDR4市场已然转变为卖方市场，美光2025年6月DDR4的官方定价上涨50%，现货市场上的16GB DDR4价格也飙升至6美元，甚至超过了同规格的DDR5（5.8美元）。
DDR4于2014年问世，至今生命周期已超10年，而其下一代技术DDR5已实现规模化出货验证，DDR4的退伍是技术迭代的必然。而长鑫存储等中国内存厂商的崛起也对三星等传统巨头构成了竞争压力，韩国企业对低收益产品板块进行收缩，加速向DDR5、HBM等高端存储业务进行调整，也是价格战下调节盈利的战略之举。
在此背景下，长鑫存储紧跟DRAM市场的技术迭代趋势，加速向高端产品转型。据悉，长鑫存储或将于2024年第三季度发布DDR4产品生命周期终止（EOL）通知，最迟于2026年上半年全面停止DDR4供货。
而搭载长鑫存储DDR5颗粒的内存条也已于2024年12月上架各电商平台，据TechInsights等机构评测，长鑫DDR5芯片面积比三星高出约40%，或存在3-4年的代际差距，但产品性能并无显著差异。
据TrendForce及业内人士预测，2025年长鑫存储在DRAM市场的市占率或超过10%。若此预期实现，全球DRAM市场将迎来第四位国际巨头。
中国创“芯”之路曾遭围堵 长鑫存储举起DRAM大旗
早年高升网，国产DRAM的担子曾被中芯国际挑在肩上。
2006年，中芯国际便已成为中国内陆最大的DRAM芯片生产企业，彼时其8英寸芯片的月产能已达到2万片，中国存储芯片也曾达到30%的市占率，并且在技术层面几乎与三星持平。
然而，2006年8月，台积电起诉中芯国际侵犯专利权，中芯国际无奈卷入漫长的专利纠纷案。
2008年，金融风暴爆发，作为中芯国际技术来源的奇梦达倒闭，失去技术盟友的中芯国际只能放弃DRAM赛道，国产DRAM从此陷入沉寂。
直到2016年5月，已在NOR FLASH领域小有成就的兆易创新，决定向国际巨头垄断的DRAM领域进军，此举恰与合肥政府打造“IC之都”的战略愿景相符，二者一拍即合，合肥长鑫由此诞生。
长鑫建立之初便力求技术自主，其技术来源除来自兆易创新外，还来自此前“绊倒”中芯国际的奇梦达。DRAM龙头奇梦达破产后，其专利几经辗转最终被长鑫收购，这份重要资产不仅奠定了长鑫研发的技术基础，也规避了此后与三星、美光等国际龙头的专利摩擦。
2018年第一季度，长鑫存储第一座12英寸晶圆厂完成设备安装。同年，公司研发出国内首个8GB DDR4芯片。
2019年第三季度，长鑫存储开始量产标准DRAM芯片，包括DDR4/LPDDR4/LPDDR4X等。
2020年，长鑫存储在全球DRAM市场中还相对式微，市场份额接近于0%。而2023年，该数值达到5%，DRAM市场被三星、海力士、美光“半导体铁三角”垄断的格局迎来挑战。
然而，就在长鑫存储渐入佳境之际，DRAM市场却在近期迎来剧变。
中国速度倒逼技术迭代 DDR4或开始退出主流市场高升网
2020年到2024年，长鑫存储月产能由4万片提升至20万片，而在国内土地、电力及其他方面的政策支持下，其扩产成本比韩国低四成左右。
成本优势助力下，长鑫存储的产品价格比三星、美光等国际巨头低10%-15%。
长鑫存储的长期价格战搅动了全球市场。据日本经济新闻报道，2025年2月，作为指标的8GB DDR4大宗交易价格为每张1.70美元左右，容量较小的4GB DDR4在1.30美元左右，均环比下降3%，且已是DRAM价格连续6个月环比下降，创2023年12月以来的价格低点。
在此背景之下，韩国企业加速其“去通用化”战略，对低收益产品板块进行收缩，加速向高端存储器的结构调整。
其中，三星和海力士已明确通知客户将停止DDR4的生产，最终订购截至日期为2025年6月初，并将12月作为最后出货日期。而美光则停止服务器用旧版的DDR4模块供应，仅保留定制化产能。
受此影响，三星8GB DDR4的现货价格达到4.8美元，远超3.3美元的平均现货价格。美光2025年6月DDR4官方定价涨幅也超过50%。
有记者在华强北的存储现货市场对多种规格的内存条进行询价，答复几乎都是“无现货”。有业内人士表示，此次供需矛盾显然来自供给端，而终端市场向DDR5产品切换存在滞后性，局部供需失衡难以避免。
在此趋势下，长鑫存储也并不留恋低端市场，而是同步进行技术与产能切换，寻求转型。
据媒体报道，长鑫存储将于2024年第三季度发布DDR4产品生命周期终止（EOL）通知，最迟于2026年上半年全面停止DDR4供货。尽管官方尚未正式公告，但据下游渠道反馈，长鑫DDR4供应已明显收缩，部分规格已趋近断供，实际退出进程或有可能提前完成。
调研机构TrendForce表示，DDR4生命周期已超10年，需求逐步被DDR5取代，且HBM、DDR5、LPDDR5等产品的盈利能力明显更强，各供应商DDR4的最后出货时间大概会在2026年初。
陪伴大家十余年的DDR4终究是走向了自己的黄昏，老将的落没将为DDR5和HBM等技术新秀释放资源，以助力各企业抢占AI时代的又一轮产业机会。
长鑫DDR5代际差距或为3-4年 2025年DRAM产能或紧追美光
2024年12月22日，金百达、光威先后在电商平台上架了基于长鑫DDR5颗粒的内存条。
根据国外老牌硬件网站Tomshardware给出的尺寸，长鑫DDR5芯片尺寸为8.25x8.25毫米，面积为68.06平方毫米。对比之下，三星DDR5芯片的尺寸为6.46x7.57毫米，面积为48.90平方毫米。也就是说，长鑫DDR5芯片比三星面积高出40%左右。
对比2021年美光、三星、海力士大规模生产的初代DDR5内存芯片，其尺寸跨度为66.26平方毫米到72.21平方毫米之间。如此对比，长鑫存储的初代DDR5产品与彼时国际巨头初代产品的面积参数相当，或说明长鑫存储研发力不输国际巨头。
此外，TechInsights等研究机构表示，尽管评估显示长鑫存储DDR5技术与韩国头部企业存在3-4年的代际差距，但其产品性能与头部企业产品并无显著差异。
据ChosunBiz预测，2025年，长鑫存储DRAM产量规模将达到273万片（以投入晶圆数量为基准），同比增长68%，该增速将大大超出此前预期。
TrendForce预测，到2025年年底，长鑫存储DRAM市场份额可能增至12%。存储控制器芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章在接受媒体采访时表示，中国长鑫存储市占率预计2025年达到10%，2026年达到15%。
若以上预期实现，全球DRAM市场将从三巨头垄断转变为四巨头格局。
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